DASP使用说明¶
- 1. 软件简介
- 2. 模块介绍
- 3. 输入参数说明
- 3.1. dasp.in模板
- 3.2. 任务系统管理相关参数
- 3.3. TSC相关参数
- 3.4. DEC相关参数
- 3.4.1. level
- 3.4.2. min_atom
- 3.4.3. max_atom
- 3.4.4. intrinsic
- 3.4.5. vacancy
- 3.4.6. antisite
- 3.4.7. interstitial
- 3.4.8. doping
- 3.4.9. impurity
- 3.4.10. substitution_doping
- 3.4.11. interstitial_doping
- 3.4.12. num_inter
- 3.4.13. inter_host_distance
- 3.4.14. inter_inter_distance
- 3.4.15. correction
- 3.4.16. epsilon
- 3.4.17. Eg_real
- 3.4.18. distorted_defect
- 3.4.19. distorted_number
- 3.4.20. complex
- 3.5. DDC相关参数
- 3.6. CDC相关参数
- 4. 输出文件介绍
- 4.1. PREPARE模块的输出文件
- 4.2. TSC模块的输出文件
- 4.3. DEC模块的输出文件
- 4.4. DDC模块的输出文件
- 4.5. CDC模块的输出文件
- 4.5.1. 5cdc.out
- 4.5.2. lineshape.dat & lineshape.png
- 4.5.3. ccdiagram.png
- 4.5.4. pl.out
- 4.5.5. rad_rate.out
- 4.5.6. el_ph_calc.list
- 4.5.7. nonrad_calc.list
- 4.5.8. overlap.dat
- 4.5.9. eigenvalue_i.dat
- 4.5.10. eigenvalue_f.dat
- 4.5.11. wavefunction_i.dat
- 4.5.12. wavefunction_f.dat
- 4.5.13. nonrad_rate.out
- 4.5.14. nonradiative_rate.dat & coefficient.png
- 5. 应用案例
- 5.1. CdTe的本征缺陷计算
- 5.2. HfO2的本征缺陷计算
- 5.3. H掺杂Ga2O3的缺陷计算
- 5.4. ZnGeP2的本征缺陷计算
- 5.5. 双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测
- 5.6. GaN中 \(C_N\) 缺陷的非辐射俘获系数计算
- 5.7. ZnGeP2的复合缺陷计算
- 5.8. GaN中本征点缺陷和复合缺陷计算
- 6. 常见问题及解决方案
- 7. 发布说明