7. 发布说明

2022B 版本：

2022年12月30日：2022B

CDC模块中，新增计算缺陷通过非辐射过程俘获电子和空穴载流子的俘获系数（截面）的功能。该功能使用静态耦合公式，并结合一维位形图（configuration coordinate diagram）的方法，模拟载流子从带边态到缺陷态之间的非辐射跃迁过程。具体计算的物理量包括：电声耦合矩阵元、振动波函数重叠积分、缺陷对电子和空穴的非辐射俘获系数（截面）。该结果可以与深能级瞬态谱（DLTS）测量的俘获截面对比，可以作为半导体器件TCAD仿真中缺陷的载流子俘获截面的输入参数。

基于计算的非辐射俘获系数（截面），可以根据Shockley-Read-Hall公式计算半导体中非平衡载流子由缺陷诱导的非辐射复合寿命。同时，CDC模块在计算缺陷诱导的光致发光谱的同时，还可以计算缺陷通过辐射过程俘获电子和空穴载流子的俘获系数，基于此，可以进一步计算缺陷通过辐射过程对非平衡载流子寿命的影响。综合多种载流子复合机制，可以分析载流子寿命的主要影响机制，并与实验测量的寿命比较。

该功能的计算可以采用普通的局域密度近似或广义梯度近似泛函、或者杂化泛函进行。