实例1:搭建Ni-Graphene器件
- 导入graphene晶体:工具栏import按钮
。
利用Build—>Surface/Slab得到三个基矢相互垂直的石墨烯晶体,Build之后删除等效原子。此时AC面为是石墨烯的两维平面。

- 获得Ni(1 1 1)表面
- 导入Ni晶体:工具栏import按钮
。
- 利用菜单栏Build—>Surface/Sla b获得Ni(1 1 1)面。勾选slab复选框,搭建4层Ni的slab。 注意:(1 1 1)面的原胞三个矢量非正交,并且这里h k l是密勒指数,所以切出来的原胞并不是最小的。

- 通过“convert to crystal”
工具修改晶格矢量,让其变为原胞,并删除原胞外的原子以及等效原子。

- 根据参考文献[1],利用“Stretch Cell”工具将该原胞的晶格常数压缩到2.4612Å。
- 再利用Build—>Surface/Slab工具得到三个基矢相互垂直的原胞, Build之后删除等效原子。此时(1 1 1)面为AC面

- 搭建Ni-Graphene-Ni结构
- 利用Build—>device—>LCR搭建一个Ni-Graphene-Ni结构,层与层之间的距离设为2.13 Å。

- 利用Simulator—>Nanodcal—>Add Buffer工具
,增加右边的buffer层至7层。

- 利用“Convert to Crystal”工具将device转化为Crystal。

- 利用工具栏“Move Atom”
,“Wrap”
和“Center”
工具调整结构处于原胞中心。


- 搭建Ni- Armchair_Graphene 两端口器件
- 沿C方向复制9个原胞。

- 删除多余的Ni原子。

- 利用工具栏“Convert to Device”
工具搭建出Ni- Armchair_Graphene 两端口器件[1]。

- 搭建Ni-Zigzag_Graphene两端口器件
- 沿A方向复制10个原胞。
- 删除多余的Ni原子。
- 利用“Convert to Device”工具搭建出Ni-Zigzag_Graphene两端口器件[1]。
参考文献
[1] J.Maassen,W. Ji and H. Guo, Nano. Lett., 11, 151 (2011).