Device Studio发布更新20170330版本
更新内容：
增加Build device下拉选择Project中已经存在的文件的功能；
增加搭建Nanowire、WulffCluster、Icosahedron和cubooctahedron结构的功能；
增加在两个原子键的方向上修改原子距离，三个原子所在面内修改键角的功能；
增加自动剔除重复原子的功能；
增加输入文件中的选择已有自洽结果文件(NanodcalObject.mat)的提示方法语句；
增加vasp输入界面set ConstraintFix xyz功能；
增加Gussian和NWChem计算文件的生成；
增加MOMAP光物理模块、载流子迁移率模块计算文件的生成；
增加MOMAP计算结果图形的显示，振动频率的动画显示；
openSUSE版本支持MOMAP计算流程；
优化了软件自带的Nanodcal基组文件；
优化了Nanodcal scf生成计算文件时自动选择基组，没有对应基组点击生成文件时出现提示；
优化了Nanodcal scf界面能量单位变化对应的数值一起变化；
优化了Nanodcal scf界面crystal中Energy cut-off默认参数值(改为80hartree)；
优化了transmission间隔的算法；
优化了Nanodcal scf的参数设置，将mixer改为mix；
优化了vasp输入界面：vasp界面离子弛豫参数ISIF默认值；vasp INCAR中参数IREAL改为LREAL；density输入文件中加入whatprojected；添加了输入的提示信息；
修复了Project中文件格式为[(2,2)…]文件找不到对应目录的问题；
修复了在空窗口粘贴原子时软件崩溃的问题；
修复了Nanodcal scf参数读入精度位置不正确的问题；
修复了Nanodcal scf界面不能拖动缩小的问题；
修复了Build Device时Advance模式下UVB矢量不显示数据的问题；
修复了分子结构修改原子半径或键半径软件崩溃的问题；
修复了当前窗口为分子构型时替换背景颜色，软件崩溃的问题；
修复了BCC类型生成布里渊区时产生死循环；
修复了Nanodcal kpoint和布里渊区不对应的Bug；
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