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材料设计,器件模拟计算领域的引领者

Device Studio发布更新20170330版本

hzwtech | 鸿之微科技 | 2017-04-01

更新内容: 


增加Build device下拉选择Project中已经存在的文件的功能;


增加搭建Nanowire、WulffCluster、Icosahedron和cubooctahedron结构的功能;


增加在两个原子键的方向上修改原子距离,三个原子所在面内修改键角的功能;


增加自动剔除重复原子的功能;


增加输入文件中的选择已有自洽结果文件(NanodcalObject.mat)的提示方法语句;


增加vasp输入界面set ConstraintFix xyz功能;


增加Gussian和NWChem计算文件的生成;


增加MOMAP光物理模块、载流子迁移率模块计算文件的生成;


增加MOMAP计算结果图形的显示,振动频率的动画显示;


openSUSE版本支持MOMAP计算流程;


 


优化了软件自带的Nanodcal基组文件;


优化了Nanodcal scf生成计算文件时自动选择基组,没有对应基组点击生成文件时出现提示;


优化了Nanodcal scf界面能量单位变化对应的数值一起变化;


优化了Nanodcal scf界面crystal中Energy cut-off默认参数值(改为80hartree);


优化了transmission间隔的算法;


优化了Nanodcal scf的参数设置,将mixer改为mix;


优化了vasp输入界面:vasp界面离子弛豫参数ISIF默认值;vasp INCAR中参数IREAL改为LREAL;density输入文件中加入whatprojected;添加了输入的提示信息;


 


修复了Project中文件格式为[(2,2)…]文件找不到对应目录的问题;


修复了在空窗口粘贴原子时软件崩溃的问题;


修复了Nanodcal scf参数读入精度位置不正确的问题;


修复了Nanodcal scf界面不能拖动缩小的问题;


修复了Build Device时Advance模式下UVB矢量不显示数据的问题;


修复了分子结构修改原子半径或键半径软件崩溃的问题;


修复了当前窗口为分子构型时替换背景颜色,软件崩溃的问题;


修复了BCC类型生成布里渊区时产生死循环;


修复了Nanodcal kpoint和布里渊区不对应的Bug;


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