Device Studio发布20170930版本
hzwtech
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鸿之微科技
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2018-10-23
程序更新如下:
新增 搭建二维随机无序类石墨烯结构的功能(Build -> Disordered Graphene-like layer);
新增 搭建三维随机无序类闪锌矿结构的功能(Build -> Disordered Zinc- blended like);
新增 CSL晶界功能(Build -> Grain Boundary);
新增 XYZ坐标轴轮换和abc基矢轮换功能;
新增 scf.input文件转换为hzw和xyz格式文件功能(Build -> Convert Files);
新增 高对称点坐标在Nanodcal Banstructure中输出;
新增 Window环境下,调用本机和远程的MOMAP程序执行计算的功能;
新增 在线访问Materials Project数据库功能(File -> Import -> Import Online);
新增 晶体拆分分子功能(Build -> Decomposition);
新增 多种方式形变晶体(Build -> Stretch Cell);
优化 布里渊区高对称点在1D、2D情形下的转置处理;
优化 Build Crystal界面在高分辨率下的显示;
优化 Wulff Cluster和Nanowire功能的使用限制条件;
优化 RESCU PostAnalysis输入参数;
修复 属性栏copy数据奔溃;
修复 RESCU不产生Post Analysis输入文件;
修复 设置scf基组时LDA+U显示错误;
修复 license 1、2、3号日期读取错误;
修复 布里渊区高对称点标记输出错误。
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