2016深亚微米集成电路工艺设计技术培训及交流会圆满落幕!
2016-10-21 今日,由鸿之微科技(上海)有限公司主办的2016深亚微米集成电路工艺设计技术培训及交流会在上海市浦东新区金桥金领之都会议室举行。目前,集成电路产业正处于战略发展阶段,机遇巨大。随着半导体产业的发展,本土技术发展也将得到加强。鸿之微在提高自己实力的同时也致力于促进创新产业发展。本次交流会旨在讨论集成电路工艺设计技术的发展与创新以及市场应用、投资机遇。
上午的课程由鸿之微的曹荣根博士开始。曹荣根博士主要谈了关于下一代集成电路工艺设计的若干问题与挑战,随着集成电路产业的迅猛发展,传统半导体器件的尺寸迅速减少,以及新兴集成电路和材料的出现,这些传统的TCAD方法和软件已经面临着巨大的挑战,相应的辅助计算模拟和工艺设计软件发展遇到瓶颈,将完全无法承担10nm左右的电子器件的设计问题。
接下来的课程为下一代集成电路工艺设计软件TCAD的简要介绍,由鸿之微科技(上海)有限公司技术部高级工程师陈江钗博士主讲。和传统的经典TCAD相比,HZWTCAD可以模拟器件的量子效应,尤其适合小型的纳米级器件,模拟的精度更高,更加凸显由结构和材料带来的器的本征属性,能有效的处理20nm]以下的尺寸的器件的工艺问题。
集成电路的器件集成度已达到在一平方厘米的面积内集成数十亿个纳米晶体管。如此密集的晶体管在以极高频率工作时会产生巨大的热量,包括晶体管中电流通过时产生的焦耳热和电容充放电时所产生的热量。过高的温度会大大降低器件的可靠性和运行速度,并最终导致集成电路被烧毁。纳米尺度的热与声子学所带来的挑战和机遇,任捷教授为我们详细介绍了这一课题。
课后安排了技术交流、案例展示以及答疑时间,使得与会嘉宾能够更加详细地了解集成电路工艺设计技术。专家们的共识是中国拥有全球最大的终端应用市场,中国集成电路产业的发展需要上游设备、材料的协同发展和下游终端应用的创新驱动,才能在未来技术和市场竞争中不断缩小差距。
最后,本次培训交流会在掌声中圆满落幕。
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