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新闻中心

Device Studio发布2017-09-30版本
Publish time: 2017-10-01  Publisher: admin

程序更新如下:

新增 搭建二维随机无序类石墨烯结构的功能(Build -> Disordered Graphene-like layer);

新增 搭建三维随机无序类闪锌矿结构的功能(Build -> Disordered Zinc- blended like);

新增 CSL晶界功能(Build -> Grain Boundary);

新增 XYZ坐标轴轮换和abc基矢轮换功能;

新增 scf.input文件转换为hzw和xyz格式文件功能(Build -> Convert Files);

新增 高对称点坐标在Nanodcal Banstructure中输出;

新增 Window环境下,调用本机和远程的MOMAP程序执行计算的功能;

新增 在线访问Materials Project数据库功能(File -> Import -> Import Online);

新增 晶体拆分分子功能(Build -> Decomposition);

新增 多种方式形变晶体(Build -> Stretch Cell);

 

优化 布里渊区高对称点在1D、2D情形下的转置处理;

优化 Build Crystal界面在高分辨率下的显示;

优化 Wulff Cluster和Nanowire功能的使用限制条件;

优化 RESCU PostAnalysis输入参数;

 

修复 属性栏copy数据奔溃;

修复 RESCU不产生Post Analysis输入文件;

修复 设置scf基组时LDA+U显示错误;

修复 license 1、2、3号日期读取错误;

修复 布里渊区高对称点标记输出错误。

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